損耗角正切(TAN)
這是一個在電容器的能量損耗的丈量。它表明，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術語是功率因數，損耗因子和介電損耗。 COS(90 - )是真正的功率因數。 “運用丈量進行丈量譚橋梁，提供一個0.5V RMS120Hz的正弦信號，免費諧波的2.2Vdc的成見。
耗散因數(D.F.)。
耗散因數丈量的切線損耗角(TAN)，以百分比表明。丈量DF是開展丈量橋梁供給一個0.5V RMS120Hz的正弦信號，免費諧波與成見2.2Vdc。 DF值是溫度和頻率依賴性。留意：關于外表貼裝產品所允許的最大DF值表明的收視率表是很重要請留意，這些限額會見了由組件后基板上焊接。
耗散因數的頻率依賴性
跟著頻率的添加損耗因數所示鉭和OxiCap廬電容器的典型曲線相同的：
耗散與溫度的聯系
耗散系數隨溫度變化的典型曲線扮演。這些地塊是鉭和OxiCap相同?電容器。關于最高限額，請參閱的評分表。
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個要素促成了鉭電容器的阻抗;半導體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導致的電感成為一個約束要素。溫度和頻率的行為確認這三個要素的阻抗行為阻抗Z。阻抗是在25° C和100kHz。
AVX鉭電容的等效串聯電阻ESR。
阻力丟失發生在全部可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制，包含電阻元件和觸點，粘性實力內介質和出產旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些丟失的影響視為電容的ESR。 ESR的頻率依賴性和可利用的聯系;ESR=譚δ2πfC其間F是赫茲的頻率，C是電容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的丈量。ESR是阻抗的要素之一，在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導要素。然后ESR和阻抗簡直成了相同，阻抗僅小幅走高。
AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴性。
ESR和阻抗都隨頻率的添加。在較低頻率值作為額外的奉獻不合阻抗(因為電容器的電抗)變得愈加重要。除了1MHz的(和超越電容的諧振點)阻抗再次添加因為電感，電容的。典型ESR和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物資料，然后在相同的圖表都有用鉭電容和OxiCap?電容器。
AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的聯系
和ESR。在100kHz，阻抗和ESR的行為相同，跟著溫度的升高下降的典型曲線
鉭電容的浪涌電壓
是指電容在很短的時刻通過最小的串聯電阻的電路33Ohms(CECC國家1KΩ)能接受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個小時時刻內可到達高達10倍額度電壓并高達30秒的時刻。浪涌電壓只作為參考參數，不能用作電路規劃的依據，在正常運轉過程中，電容應定時充電和放電。
不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時，分類電壓VC等于額外電壓VR，浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍;在85到125度時，分類電壓VC等于額外電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類電壓VC的1.3倍。
AVX鉭電容能接受的電壓和電流浪涌才能是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應力會穿過電介質，然后破壞了介質。例如一個6伏的鉭電容在額外電壓運轉時，有一個167千伏/毫米電壓的電場。因此一定要保證整個電容器終端的電壓的決不會超越規定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層運用的半導體二氧化錳有自愈才能。但是，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器或許被浪涌電流擊穿。降壓的電容，添加了元件的可靠性。AVX公司引薦降級表“(第119頁)總結額外電壓運用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進行快速充電或放電時，維護電阻建議為1Ω/ V。假如達不到此要求應運用鉭電容器降壓系數高達70%。在這種情況下，或許需要更高的電壓比作為一個單一的電容。 A系列組合應被用來添加作業電壓的等效電容器：例如，兩個22μF25V系列部分相當于一個11μF50V的一部分。
鉭電容的反向電壓
AVX鉭電容的反向電壓是有嚴格的約束的，具體如下：
在1.0V 25° C條件下最大為10%的額外直流作業電壓
在0.5V 85° C條件下最大為3%的額外直流作業電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1%的額外直流作業電壓
反向電壓值均以鉭電容在任何時刻上的最高電壓值為準。這些約束是假定鉭電容器偏振光在其大多數的正確方向作業壽數。他們的目的是涵蓋短期逆轉如發生在開關瞬態極性期間的一個印象深入的波形的一小部分。接連施加反向電壓會導致兩極分化，將導致漏電流增大。在在何種情況下接連反向應用電壓或許會出現兩個類似的電容應選用與負端接背回裝備連接在一起。在大多數情況下這種組合將有一個標稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在開始幾個周期內，電容或許的辦法完好的標稱值。反向電壓等級的規劃蓋小等級游覽得天獨厚的條件弄錯極性。引用的值是不計劃掩蓋接連的反向操作。
鉭電容的疊加溝通電壓(Vr.m.s.)------又稱紋波電壓
這是最大的r.m.s.溝通電壓;疊加一個特區電壓，可應用到一個電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超越該類別電壓，v.c.第2節中的全部細節
鉭電容的成型電壓。
這是在陽極氧化構成的電壓。 “這個氧化層的厚度是構成電壓成正比一個電容器，并在設置額外電壓的一個要素。
AVX鉭電容的頻率特性
咱們知道每種電容都有它的頻率特性,那么
AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?
AVX鉭電容跟著頻率的添加有用電容的值會減小，直到共振到達(一般視0.5 - 5MHz的之間該評級)。除了共振頻率的設備變得感性。除了100kHz的電容持續下降。
下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF 10V標準為例,來說明鉭電容的頻率特性.
