KEMET鉭電容的鉭芯表面都會覆蓋著一層五氧化二鉭薄膜的電介質，這層人質是采用陽極化工藝，由厚5nm~10nm的N型氧化鉭層和五氧化二鉭純半導體層復合而成。其厚度與陽極化電壓成份額，也是決定了KEMET鉭電容耐壓值的大小。一般來說用于6V電池應用的KEMET鉭電容而言，鉭電容的五氧化二鉭薄膜層厚度為0.04微米或許40納米。
超大容量的片式多層陶瓷電容器則采用澆覆厚度為2.0微米的陶瓷電介質薄層的方法來制造，這樣比鉭電容的要厚得多。片式多層陶瓷電容器采用層疊工藝，終究制造出多層電容。與鉭電容相同，片式多層陶瓷電容器的電介質層厚度決定了額定電壓，電介質層數決定了容量。介電常數的差異導致了IR的巨大不同。
KEMET鉭電容的漏電流會因為正極表面的機械損壞或許氧化層表面的決裂而上升。正極的外表面歸于易損部分，遭到熱、機械和電氣作用的共同影響。表面漏電流會受濕度的影響，并導致長期作業的不穩定。
改善鉭芯的生產工藝，更好地控制氧化物層的厚度，可以協助消除鉭電容表面漏電流問題。在鉭芯的外表面生成較厚的電介質薄膜，防止其遭到機械損壞，從而大幅改善漏電流功能，下降漏電流.除了改善鉭電容的正極結構，與聚合物負極結構相比，鉭電容的二氧化錳負極結構具有更為優異的漏電流功能，因該資料有更好的導電性。
