一種略帶藍(lán)色的戰(zhàn)略金屬，英文名叫TANTALUM，具有2900 度以上的熔點(diǎn)（僅次于鎢和錸）和6.5 的莫氏硬度（鉆石是10）以及令人難以置信的耐酸堿性（王水對其都沒用，而黃金碰到王水都會融化），以上特性給鉭帶來了難以加工的壞名聲，不過其極高的介電常數(shù)（27 是鋁的4 倍以上）和燒結(jié)后的海綿狀態(tài)以及超穩(wěn)定狀態(tài)卻讓電子元件生產(chǎn)廠商忍受千難萬苦也要把它應(yīng)用在電容上，最終裝備到軍用電子設(shè)備中。
1.漏電流少：同樣陰極是聚合物（PEDTPPY 等）鉭聚合物電容的漏電流只有鋁聚合物電容的幾分之一左右，以著名的三洋OSCON 的SVP 產(chǎn)品為例，其4V 33UF 的4SVP33M 漏電流（LC）為66UA 而同規(guī)格鉭聚合物電容一般僅為 12UA 左右，這代表顯卡如果用鉭聚合物電容濾波會更干凈，漏電流導(dǎo)致的脈沖會小。
2.損耗角?。哼€是拿4SVP33M 為例，其損耗角是0.15，而同規(guī)格鉭聚合物電容的DF（損耗角）則為0.08。0.15 與0.08 間差了0.10、 0.12 兩個數(shù)量級，損耗角小表示電容發(fā)熱會小很多，有利于提高電容壽命和增加顯卡穩(wěn)定性。
3.失效率低：失效率就是每工作一定時間電容可能會失效一次，注意是失效一次，而不是從此出故障了需要修理才能繼續(xù)或直接壞掉。鉭聚合物電容由于都是樹脂封裝，外加多層銀和石墨陰極鍍層和鉭導(dǎo)線所以電容失效率遠(yuǎn)小于容易進(jìn)入濕氣和被腐蝕的鋁聚合物電容，在美軍的一次試驗(yàn)中 AVX 和 KEMET 的鉭聚合物電容在模擬運(yùn)行了 1000000 小時中才出現(xiàn)一次失效，也就是說你想碰到一次鉭聚合物電容失效要等 110 多年，所以山姆的關(guān)鍵性電子設(shè)備都采用它是有道理的。
1） 各國電容器的型號命名很不統(tǒng)一，國產(chǎn)電容器的命名由四部分組成：
第一部分：用字母表示名稱，電容器為C。
第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用數(shù)字表示分類。
第四部分：用數(shù)字表示序號。
2） 電容的標(biāo)志方法：
（1） 直標(biāo)法：用字母和數(shù)字把型號、規(guī)格直接標(biāo)在外殼上。
（2） 文字符號法：用數(shù)字、文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。文字符號表示其電容量的單位：P、N、u、m、F等。和電阻的表示方法相同。標(biāo)稱允許偏差也和電阻的表示方法相同。小于10pF的電容，其允許偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F(xiàn)——±1pF。
（3） 色標(biāo)法：和電阻的表示方法相同，單位一般為pF。小型電解電容器的耐壓也有用色標(biāo)法的，位置靠近正極引出線的根部，
（4） 進(jìn)口電容器的標(biāo)志方法：進(jìn)口電容器一般有6項(xiàng)組成。
第一項(xiàng)：用字母表示類別：
第二項(xiàng)：用兩位數(shù)字表示其外形、結(jié)構(gòu)、封裝方式、引線開始及與軸的關(guān)系。
第三項(xiàng)：溫度補(bǔ)償型電容器的溫度特性，有用字母的，也有用顏色的，其意義如下表所示：
第四項(xiàng)：用數(shù)字和字母表示耐壓，字母代表有效數(shù)值，數(shù)字代表被乘數(shù)的10的冪。
第五項(xiàng)：標(biāo)稱容量，用三位數(shù)字表示，前兩位為有效數(shù)值，第三為是10的冪。當(dāng)有小數(shù)時，用R或P表示。普通電容器的單位是pF，電解電容器的單位是uF。
第六項(xiàng)：允許偏差。用一個字母表示，意義和國產(chǎn)電容器的相同。 也有用色標(biāo)法的，意義和國產(chǎn)電容器的標(biāo)志方法相同。
（1） 容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級：I級±5%，II級±10%，III級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為±20%。
精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005級——±0.5%；F——01級——±1%；G——02級——±2%；J——I級——±5%；K——II級——±10%；M——III級——±20%。
（2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。 （3） 溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。
（4） 絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。 （5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
（6） 頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。
不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤型瓷介可達(dá)3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。
